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Tel:187902821222022年12月1日 在碳化硅工艺制造过程中,典型的高能离子注入设备主要由离子源、等离子体、吸出组件、分析磁体、离子束、加速管、工艺腔和扫描盘等组成,如图2所示。 SiC
查看更多2023年2月26日 碳化硅产业资本开支加速,供应链安全可控助力国产碳化硅设备厂商突围 碳化硅晶圆和器件的制备基本工艺流程同硅基半导体基本一致,但部分工艺段使 用专用设
查看更多2020年10月21日 碳化硅粉料合成设备. 用于制备生长碳化硅单晶所需的碳化硅粉料,高质量的碳化硅粉料在后续的碳化硅生长中对晶体质量有重要作用。 主要技术难点:高温高真空密封与控制、真空室水冷、真空及测量系统
查看更多2023年5月21日 碳化硅器件生产各工艺环节关键设备. 由于SiC工艺的特殊性,传统用于Si基功率器件制备的设备已不能满足需求,需要增加一些专用的设备作为支撑,如材料制备中的碳化硅单晶生长炉、金刚线多线切割机设
查看更多6 天之前 南京大学科技成果推介 第一百二十四篇大尺寸碳化硅激光切片设备与技术所属领域新材料(第三代半导体材料加工设备)项目介绍1. 痛点问题SiC不仅是关系国防安全的的
查看更多刘潘 2023-12-06 10:18. 一、碳化硅产业概述. 碳化硅是一种无机物,化学式为SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶
查看更多1 天前 大尺寸碳化硅激光切片设备与技术. 近日,南京大学成功研发出大尺寸碳化硅激光切片设备与技术,标志着我国在第三代半导体材料加工设备领域取得重要进展。. 不仅解决
查看更多2023年2月26日 衬底环节是碳化硅器件制造中最核心、最困难的环节。碳化硅衬底价格高是制约 碳化硅应用落地的主要原因。由于切片环节良率较低,切抛磨环节约占衬底总成 本的2/3,切磨抛设备是衬底加工最核心的设备,国产化率约20%。根据我们测 算,预计2025 年
查看更多2022年12月15日 产业加速扩张之下,碳化硅设备成入局“香饽饽”. 集微网报道,2022年以来,受全球消费电子市场整体放缓以及新冠疫情反复的影响,半导体产业在经历了持续良久的高景气后开启了去库存周期。. 值得一提的是,虽然半导体产业已经步入下行周期,但仍有部分 ...
查看更多2023年7月14日 与此同时,国内外产业模式的差异,技术差距、设备挑战以及国内碳化硅器件中低端“互卷”等问题,都一一成为摆在我国碳化硅产业链发展面前的难题。. 碳化硅“狂飙”. 上文提到,从产业链层面初步划分,整个SiC产业链主要分为衬底、外延、设计、器件和 ...
查看更多2020年10月21日 国内宽禁带半导体设备领域,在国家科技项目的大力推动下,我国宽禁带半导体设备正在逐步缩小与国外先进设备的差距:碳化硅半导体设备方面,100-150mm设备已部分实现国产化。但设备的产线应用较少,进而导致设备技术细节和可靠性有待提高,市场认
查看更多2023年3月13日 晶体制备. 由于物理的特性,碳化硅材料拥有很高的硬度,目前仅次于金刚石,因此在生产上势必要在高温与高压的条件下才能生产。. 以PVT法为例,碳化硅晶体制备面临以下困难:. 温场控制困难、生产速度缓慢:以目前的主流制备方法物理气相传输
查看更多2024年1月30日 碳化硅材料特性导致的器件制造 难度高,仍需要不断改进生产工艺。与硅基器件类似,碳化硅仅需要部分特定设备的升级或新开发,但这些新增设备又具有一定技术难度,可以这样理解,硅基器件发展超过70余年技术水平十分成熟,而碳化硅产业 ...
查看更多2021年6月11日 1 碳化硅的制备方法 碳化硅产业链主要包含粉体、 单晶材料、 外延材料、 芯片制备、 功率器件、 模块封装和应用等环节。 SiC 粉体:将高纯硅粉和高纯碳粉按一定配比混合, 于2,000 ℃以上的高温下反应合成碳化硅颗粒, 再经过破碎、 清洗等加工工序, 获得可以满足晶体生长要求的高纯度碳化硅 ...
查看更多2023年2月11日 行业研究丨深度报告丨半导体与半导体生产设备碳化硅:把握能源升级+技术迭代的成长机遇丨证券研究报告丨报告要点碳化硅相比硅带来的最大变化我们可以总结为“旧结构+新材料”,亦即通过把材料更换为碳化硅解决过去硅基MOSFET在高电压场景下的瓶
查看更多1 天前 大尺寸碳化硅激光切片设备与技术. 近日,南京大学成功研发出大尺寸碳化硅激光切片设备与技术,标志着我国在第三代半导体材料加工设备领域取得重要进展。. 不仅解决了碳化硅 切割 材料损耗率高的问题,还大大提升了产率。. 来源:南京大学官网. SiC不仅是 ...
查看更多2023年2月16日 半导体与半导体生产设备行业:碳化硅,把握能源升级+技术迭代的成长机遇(33页).pdf. 【报告导读】近年来,随着 5G、新能源等高频、大功率射频及电力电子需求的快速增长,硅基半导体器件的物理极限瓶颈逐渐凸显,如何在提升功率的同时限制体积、发
查看更多2024年2月18日 碳化硅的切磨抛既直接关系到衬底加工的效率和产品良率,又能间接降低国产厂商的生产成本,进而对碳化硅的市场推广产生积极影响。从技术路线上来说,国内外切磨抛环节的差距不大,但在设备的精度和稳定性上,国产设备仍需持续发力,以进一步提高市场
查看更多碳化硅部件(CVD-SiC). 以自行研发的CVD法生产,实现了超高纯度,高耐热性,高耐磨性的碳化硅产品. 碳化硅产品是硅(Si)和碳(C)1比1结合而成的一种化合物,具有较高的抗磨损性、耐热性和耐腐蚀性。. 它们被广
查看更多2024年2月18日 半导体碳化硅 (SiC) 关键设备和材料技术进展的详解;. 爱在七夕时 . 东莞南方半导体科技有限公司 品质主管. 从SiC衬底、外延、芯片到模块,涉及单晶、切磨抛、外延、离子注入、热处理等关键装备,随着整体市场的蓬勃发展,设备需求迎来了机遇期。. 一、SiC 单
查看更多2023年8月2日 炉管用零部件常用的传统材料为石英或碳化硅,其中石英部件受温度限制主要应用于 LPCVD 设备中,且更换周期为 2-3 年;碳化硅部件更适用于高温环境下,但受碳化硅材料制备技术的限制,其成品交付周期长、材料成本高,在炉管设备中的渗透率较低。
查看更多2022年12月15日 原标题:产业加速扩张之下,碳化硅设备成入局“香饽饽”. 集微网报道,2022年以来,受全球消费电子市场整体放缓以及新冠疫情反复的影响,半导体产业在经历了持续良久的高景气后开启了去库存周期。. 值得一提的是,虽然半导体产业已经步入下行周
查看更多通过以上步骤的精确控制和优化,可以制备出具有良好性能和可靠性的碳化硅芯片。 4. 对比分析与讨论 氮化镓(gan)和碳化硅(sic)芯片的生产工艺流程 概述说明 1. 引言 1.1 概述 本文将对氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)芯片的生产工艺流程进行概述说明。
查看更多2024年3月4日 碳化硅陶瓷工件是优异工程材料,广泛应用于多领域。其生产过程包括原料制备、成型、烧结、精加工等环节,需采用精密加工技术和设备。陶瓷雕铣机在碳化硅陶瓷工件生产中起关键作用,具有高精度、高效加工、灵活加工工艺和稳定加工质量等特点,能有效提高工件精度和加工效率,降低生产 ...
查看更多2023年7月7日 英杰电气:为碳化硅制造设备配套电源 盛美半导体: 推出新型化学机械研磨后(Post-CMP)清洗设备。这是该公司第一款Post-CMP清洗设备,可用于制造高质量衬底化学机械研磨(CMP)工艺之后的清洗,其中6英寸和8英寸的配置适用于碳化硅衬底制造。
查看更多2024年3月22日 PVA TePla亮相SEMICONChina2024. “作为PVA TePla在华打造的首款国产碳化硅晶体生长设备,‘SiCN’旨在帮助我们更好地满足本土化需求,为中国市场提供成熟稳定的工艺设备,进一步帮助合作伙伴提升市场竞争力。. ”德国PVA TePla集团半导体业务中国区负责人谢秀红表示 ...
查看更多2023年11月12日 虽然碳化硅产能扩建一片红红火火,但想要大规模起量乃至获得高额收益,至少要等到2025年以后了,如今都不过是在烧钱布局罢了,最先从中受益的反而是设备厂商,由于碳化硅的扩建扩产,相关设备市场皆呈现供不应求的状态,Insemi预计2025年碳化
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